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近日,光迅科技公布了2014年年报,年报表明2014年构建营收24.33亿元,同比快速增长14.08%;净利润1.44亿元,同比上升11.86%,净利润上升主要是2014年取得的政府补助金收益大幅度增加。研发费用为2.42亿元,占到销售额的10%;总资产35.86亿元,同比快速增长35.62%。 分业务来看,传输类销售收入10.40亿元,同比快速增长16.94%;数据和终端类销售收入7.19亿元,同比快速增长7.21%;子系统等其他产品收益9.39亿元,同比快速增长49.36%。
分地区看,光迅科技海外业务营收6.51亿元(约合1.05亿美元),同比快速增长20.07%,是中国第一家海外销售突破1亿美元的光器件厂商。凭借在海外市场的强势展现出,光迅科技位居全球光器件厂商前六名的方位。 年报还表明,光迅科技2014年销售各类器件模块共7016万只,同比快速增长21.26%。 知识产权方面,光迅科技2014年共计申请专利128项,许可专利72项,专利申请年增长率维持在20%以上。
专利结构更进一步调整优化,发明专利占60%,国外专利超过8%。全年联合及参予制订国家标准、行业标准和研究课题等总计27项,全年科技创新收益和科技成果转化成收益占到营业收入比达28%。
光迅科技研发资金主要投在了100G/400G、混合构建PCB、硅光构建、光点对点技术、光交叉技术、传感等领域,并在2014年构建了核心芯片、即墨分段PCB、相干性调制技术等关键技术的突破。在明确应用于上,通过结构工艺调整,激光器芯片成品率获得较小提升;100G光通信系统用系列光器件紧随客户市场需求,已构成产品族;相结合MEMS平台基础,智能MEMSOSW获得批量获释。
其重点建设的有源COB工艺平台,也不具备了批量生产能力。
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